、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H SiC同质外延在表面...
免费在线咨询本文通过化学腐蚀与扫描电子显微分析相结合的方法对4H SiC外延材料中的缺陷进行了检测与分析。目的是确定重复性好的4H SiC腐蚀工艺,表征4H SiC同质外延层中缺陷的...
免费在线咨询2013年10月10日 调研LED外延晶片的发展现状与前景 2013 10 10 09:23:14 编辑: 小 中 大打印 另外,LED外延片是指在一块加热适当温度的衬底基片(主要有...
免费在线咨询5页 免费 上传时间:2011年6月9日激发光源为488nm的氩离子激光.利用PL谱技术分析了外延膜的结晶质量和杂质含量,激发光源为325nm的He2Cd激光器,功率为10mW.第5期高 欣等: 水平冷壁CVD生长4H2SiC...
免费在线咨询一种在碳化硅(SiC)基底上外延生长碳纳米薄膜石墨烯的方法,其特征在于,制备过程包括以下步骤: (1)先将SiC基底进行去位清洗预处理,以消除表面氧化物和其它杂质; (2)将清洗...
免费在线咨询2.2.2 4H SiC 同质外延薄膜CVD淀积的物理化学反应原理32 36 2.2.3 4H SiC 同质外延薄膜生长工艺研究36 38 2.3 4H SiC 同质外延薄膜实验结果与讨论38 48 2.3.1 4H SiC...
免费在线咨询4页 400积分 上传时间:2012年11月14日高频、大功率电子学的新一代宽带隙半导体材料SiC单晶薄膜可以通过同质外延或异质外延的方法获得异质外延生长可分为两种结构形式一种是在硅衬底上生长SiC薄膜目前已...
3免费在线咨询外延片 led外延片生产 LED外延片市场调研 2014年中国LED外延片市场调研报告 中国 LED外延片是指在一块加热适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、SiC、Si等)上所生长...
免费在线咨询SiC双极性功率晶体管,目前接受瑞典政府提供的130万欧元资助,这家SiC晶体管开发商正着手一个为期三年的项目,开发更有前景的技术。瑞典皇 瑞典项目开发SiC外延片及...
3免费在线咨询化学气相淀积法(即CVD法)被广泛地应用于碳化硅(SiC)外延生长当中,而在SiC材料的生长过程中发现,CVD设备反应室内的温度场分布是影响SiC晶体薄膜的重要因素之一。用...
免费在线咨询报告. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2012年LED外延片芯片市场营销策略与流行趋势研究报告,供应,商务服务、广告、人才,咨询、策划,市场调研 当前位置: 首页 » 供...
免费在线咨询上传时间:2013年8月24日CVD同质外延的4H SiC单晶薄膜的特性进行研究,发现外延层有很好的晶格结构和完整性.由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离,在样品的衬底和外延的界面...
免费在线咨询中国LED外延片市场调研报告2011价格 您好,欢迎使用百贸网 您当前的位置: 卖家 服 LED外延片是指在一块加热适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、SiC、Si等)上所生长...
免费在线咨询Si 面衬底上进行同质外延生长. 霍尔测试的结果表明,非有意掺杂的外延膜层导电性为n型. XRD测试显示各个样品只在位于2θ=35?5. 附近出现一个谱峰,表明外延膜是SiC单晶...
免费在线咨询95页 上传时间:2012年4月25日4H SiC外延材料低位错密度关键技术研究 图案背景 纯色背景 文档贡献者 该文档贡献者很忙,什么也没留下。 关注我 发私信 正在努力加载中. 4H SiC外延材料低位错密度关键...
免费在线咨询研究了4H SiC外延片中的缺陷对制作出的Ni/4H SiC肖特基势垒二极管的电学性能的影响。SiC的外延生长是通过LPCVD外延设备在偏8°的(0001)Si面4H SiC单晶片上进行的...
免费在线咨询用高分辨X射线光电子能谱仪(XPS)和傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪研究了SiC外延层表面的组分结构.XPS宽扫描谱,红外掠反射吸收谱及红外镜面反射谱的解析结果说明SiC外延...
免费在线咨询6页 898积分 上传时间:2011年1月10日CVD外延生长SiC薄膜的等离子体图形刻蚀研究 第2卷 1第1期固体电子学研究与进展 .21. o. V o1 N 20 0 年 2月 RE EAR S CH & P SOF S E ROGRES S b. 00 Fe 2 i CVD 外延...
免费在线咨询SiC衬底上MOCVD法外延GaN基. 4页 20财富值 Si(111)衬底上多层石墨烯薄. 5页 2财富值 SiC单晶多型体的判定以及立. 3页 免费 退火时间对SiC表面外延石墨. 6页 免费 ...
免费在线咨询升华法生长的"一SiC单晶表面有时会外延上一层卢一SiC.裂化法外延生长SiC单晶膜时,也可能得到产SiC膜.Liebmann和'Fomita等人'卜。'曾用腐蚀法和x射线衍射形貌术研究过...
免费在线咨询54页 1400积分 上传时间:2013年1月20日内容提示:4H SiC外延材料缺陷的检测与分析 文档格式:PDF 浏览次数:1 上传日期:2013 01 20 07:36:09 下载积分: 该用户还上传了这些文档 新浪微博 腾讯微博 道客巴巴...
免费在线咨询Sen:150。,1:实验室与亚一"公司正协力为SIC外延晶片提供SIC衬底及外延。该项合作将l一u的4H一SIC衬底生产能力与Semisouth公司运用SIC外延反应堆开发出的SIC外延材料...
免费在线咨询4页 100积分 上传时间:2009年12月5日氙光作用后半绝缘4H SiC外延片本征缺陷的ESR谱特性 图案背景 纯色背景 文档贡献者 该文档贡献者很忙,什么也没留下。 关注我 发私信 正在努力加载中. 氙光作用后半绝缘...
免费在线咨询正 SemiSouth实验室与Ⅱ Ⅵ公司正协力为SiC外延晶片提供SiC衬底及外延。该项合作 6 占国;袁桐;;电子信息材料[A];中国新材料产业发展报告(2004)[C];2004年 7 ;清华大学...
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