67页 上传时间:2012年1月8日内容提示:aln陶瓷的sps烧结致密化及其机理研究 文档格式:PDF 浏览次数:1 上传日期:2012 01 08 05:30:28 下载积分: 该用户还上传了这些文档 新浪微博 腾讯微博 道客巴巴...
3免费在线咨询4页 2财富值 上传时间:2011年3月28日但很少有对AlN烧结炉温度均匀性对AlN基片性能影响进行描述的,本文则简要介绍了氮化铝陶瓷烧结炉温度均匀性对烧结产品质量的影响。1氮化铝陶瓷技术原理氮化铝是一种人...
免费在线咨询通过直接添加与原位生成两种方式引入Y2O3作为烧结助剂,热压烧结制备了AlN陶瓷;研究了添加方式及添加量对AlN陶瓷显微结构和力学性能的影响。结果表明:原位生成烧结...
免费在线咨询4页 上传时间:2012年9月11日内容提示:AlN陶瓷低温烧结过程中氧化控制与性能研究ALN8,ALN 文档格式:PDF 浏览次数:1 上传日期:2012 09 11 18:43:14 下载积分: 该用户还上传了这些文档 新浪微博 腾讯...
免费在线咨询7 于慧生;热传导性高的氮化铝烧结体[J];无机盐工业;1987年05期 8 陶佑卿;吴大兴;杨川;;氮化铝析出量"峰值温度"理论推算[J];四川冶金;1987年04期 9 徐肇锡;;低温烧结氮化铝[J...
免费在线咨询介绍了在 Al N烧结中 ,烧结助剂的种类和加入量对 Al N陶瓷材料的烧结致密度和热传导系数的影响。通过分析不同烧结助剂对 Al N低温烧结 (16 0 0℃ )的影响 ,认为有效的烧结...
免费在线咨询在5.0 GPa /1400℃/50 min条件下AlN烧结体表现出穿晶断裂模式;将烧结温度提高到1800℃在AlN陶瓷中形成了单相多晶等轴晶粒组织;在5.0 GPa/1700℃/125 min条件下AlN陶瓷...
免费在线咨询氮化铝烧结热导率 氮化铝 烧结 热导率 加入收藏 AlN陶瓷烧结技术研究进展 摘要:氮化铝(AlN)因其具有高热导率,作为基片材料在电子元器件中得到日益重视。本文主要论...
免费在线咨询可获得相对密度均98.8%、热导率为95W/(m·K)的AlN烧结体。通过对AlN试样断口的SEM分析可知:AlN晶粒大多呈直接结合,晶界相较少,有少量气孔存在。对AlN陶瓷进行后续...
免费在线咨询4页 2400积分 上传时间:2011年11月4日第 34卷稀有金属材料与工程 2005年 M生 T 6月 R A R E M E T A L M A T E R I A L S人N D E N G I N E E R I N G Vol .34 Suppl. I 」 e Ur 2哎 IS洲放电等离子烧结 BN/AlN复合材...
3免费在线咨询采用微波高温烧结工艺,制备了致密的AlN陶瓷,并初步探讨了微波烧成环境对烧结体性能的影响。结果表明:利用微波烧结AlN陶瓷,虽然在节能省时方面效果显著,但是微波烧成环...
免费在线咨询1 刘军芳;放电等离子烧结法制备氮化铝透明陶瓷[D];武汉理工大学;2002年 3 肖柳;原理研究六方氮化硼不同结构的稳定性[D];中国海洋大学;2010年 4 全锋;脉冲电流烧结氮化铝...
免费在线咨询氮化铝碳化硅导热性能热压烧结 氮化铝 碳化硅 导热性能 热压烧结 加入收藏 SiC含量和热压烧结温度对AlN SiC复相陶瓷材料导热性能的影响 摘要:采用热压烧结工艺制...
免费在线咨询高压烧结AlN陶瓷的微观结构和残余应力 暂无评价 0人阅读 0次下载 举报文档 224 Vol.22No.420088CHINESEJOURNALOFMATERIALSRESEARCHAugust2008± AlN ±· 1,...
免费在线咨询氮化铝烧结液相显微结构 氮化铝 烧结 液相 显微结构 加入收藏 AlN陶瓷低温烧结中的液相迁移 摘要:用 XRF和 SEM/EDAX对 (YCa) F3助烧 Al N陶瓷烧结过程中的液相迁...
免费在线咨询83页 5财富值 上传时间:2013年3月10日电子封装用AlN烧结工艺及机理 隐藏 学位论文性声明学位论文性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知除...
免费在线咨询上传时间:2012年12月30日2低温烧结AlN陶瓷实现 AlN陶瓷的低温致密化烧结的方法较多,通常采用添加助烧结剂或改进粉体性能。2. 1添加助烧结剂低温烧结添加剂系统应具有两项功能,即促进烧结过程...
免费在线咨询4页 2财富值 上传时间:2012年12月25日贡献者等级:手不释卷 四级 格式:pdf 关键词:暂无 1/2 相关文档推荐 氮化铝陶瓷生产关键技术研 90% 推荐 5页 1财富值 低温烧结氮化铝陶瓷烧结助 推荐 5页 2财富值 ...
免费在线咨询82页 上传时间:2012年9月18日内容提示:电子封装用AlN烧结工艺及机理 文档格式:PDF 浏览次数:1 上传日期:2012 09 18 16:13:37 下载积分: 该用户还上传了这些文档 新浪微博 腾讯微博 道客巴巴版权...
免费在线咨询8 刘盟;电子封装用AlN烧结工艺及机理[D];南昌大学;2011年 9 安力;AlN SiC复合陶瓷的力学与抗侵蚀性能[D];哈尔滨工业大学;2011年 10 赵国权;低温固相合成YAG粉体及其烧结...
免费在线咨询上传时间:2010年11月5日aln,烧结,阴极,陶瓷,空心,等离子,材料学,金属,相关,资料,WORD EXPRESS,论文 论文 期刊/会议论文 空心阴极等离子烧结AlN陶瓷 详细» 北京工业大学硕士学位论文空心阴极...
免费在线咨询上传时间:2010年7月19日并指出可通过合适的)+ 粉体制备技术,结合快速烧结方法可得到具有晶粒细小、结构均匀、高致密度和高导热率的)+ 陶瓷。关键词:氮化铝;烧结;热导率当今信息技术正朝着高...
免费在线咨询其烧结过程依然依靠扩散实现。提高坯体成型压力可以促进纳米级氮化铝烧结致密化,但此影响伴随烧结温度的提高而逐渐微弱。亚微米级氮化铝原料在低温烧结过程中,表面扩...
免费在线咨询上传时间:2011年2月3日在促进AlN烧结致密化和降低制备成本方面具有很大的发展潜力。本文对纯A1N、Y203.A1N、Sm203一AlN粉体进行了SPS烧结,分析了SPS烧结A1N的过程与致密化机理...
免费在线咨询